Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 54A TO247-4 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 54A TO247-4 de la SMC DIODE SOLUTIONS reprezintă o soluție avansată pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate sporită. Fabricat în tehnologie SiC, acest dispozitiv oferă o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă nominal de 54A, asigurând o capacitate excelentă de comutare și gestionare a sarcinilor mari. Cu un curent de drenă în impuls de 200A, tranzistorul suportă vârfuri de curent intense fără degradare. Rezistența în timpul funcționării este redusă la 36 mΩ, optimizând eficiența energetică și minimizând pierderile. Dispunând de o polarizare unipolară și un subtip canal îmbogățit, dispozitivul beneficiază de o tensiune poartă-sursă cuprinsă între -4 și 18V, oferind flexibilitate în controlul semnalului. Încărcătura poartă este de 175nC, facilitând comutări rapide și stabile. Ambalat în carcasă TO247-4, montat prin tehnologia THT și dotat cu terminal Kelvin pentru o conexiune optimă, tranzistorul asigură o disipare a puterii de până la 517W, garantând performanțe constante în condiții exigente. Acest N-MOSFET se distinge prin robustețe și eficiență, fiind o componentă cheie în circuitele electronice de înaltă performanță.