Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 85A TO247-4 SMC DIODE SOLUTIONS

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 85A TO247-4 de la SMC DIODE SOLUTIONS oferă performanțe superioare datorită tehnologiei avansate Silicon Carbide (SiC). Ambalat în carcasă TO247-4 și montat prin tehnologia THT, acest dispozitiv dispune de o putere disipată impresionantă de 732W, asigurând eficiență termică și stabilitate în aplicații de mare putere. Cu un curent continuu de drenă de 85A și un curent de drenă în impuls de până la 250A, tranzistorul gestionează sarcini electrice ridicate fără compromisuri. Tensiunea maximă drenă-sursă este de 1,2kV, iar tensiunea poartă-sursă variază între -4V și 18V, oferind flexibilitate în controlul comutării. Rezistența în timpul funcționării este redusă la 25mΩ, ceea ce minimizează pierderile de putere și crește eficiența generală. Caracteristica terminalului Kelvin optimizează performanța electrică prin reducerea efectelor inductive. Tipul canalului este îmbogățit, iar polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și precisă. Încărcătura poartă este 287nC, facilitând comutări rapide și controlate. Acest N-MOSFET reprezintă o soluție robustă, durabilă și eficientă pentru aplicații ce necesită caracteristici tehnice de top.