Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh V 650V 50,5A TO247 THT

Tranzistorul N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh V, cu o tensiune drenă-sursă de 650V și un curent maxim de drenă de 50,5A, oferă performanțe remarcabile în aplicații cu cerințe ridicate de putere. Dispunând de tehnologia avansată MDmesh™ V, acest dispozitiv asigură o rezistență la conducție extrem de scăzută, de doar 29mΩ, optimizând eficiența energetică și reducând pierderile. Carcasa robustă TO247, de tip tub, conferă disipare termică excelentă, suportând o putere disipată de până la 450W, în montare prin tehnologia THT. Versiunea ESD integrată protejează tranzistorul împotriva descărcărilor electrostatice, garantând fiabilitate și durabilitate sporită. Polarizarea unipolară și canalul îmbogățit oferă stabilitate în funcționare, iar tensiunea poartă-sursă de ±25V asigură control precis al comutării. Produsul este ideal pentru aplicații care necesită un N-MOSFET performant, cu caracteristici tehnice superioare, oferind o combinație optimă între putere, eficiență și protecție.