Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 34A 270W STMicroelectronics THT

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 34A 270W de la STMicroelectronics reprezintă o soluție avansată, cu tehnologie SiCFET, optimizată pentru performanțe ridicate și eficiență sporită. Dispus într-un ambalaj tub THT și carcasă HIP247™, acest dispozitiv suportă o putere disipată de 270W, asigurând o gestionare termică superioară. Cu un curent de drenă nominal de 34A și un curent de drenă în impuls de 90A, tranzistorul garantează operare robustă în condiții exigente. Tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și domeniul de tensiune poartă-sursă între -10V și 25V oferă versatilitate și control precis al polarizării unipolare. Rezistența internă în timpul funcționării este de numai 0,1Ω, ceea ce reduce pierderile energetice și crește eficiența generală a circuitului. Încărcătura poartă de 105nC asigură comutare rapidă și stabilă, contribuind la performanțe optime. Acest N-MOSFET din siliciu carbură este proiectat pentru cerințe ridicate, combinând durabilitatea cu tehnologia de ultimă generație, fiind un element esențial în aplicații ce solicită fiabilitate și eficiență maximă.