Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A DIOTEC SEMICONDUCTOR THT TO247-3

DIW120SIC028
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
259,86 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

75.12 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR, model SiC 1,2kV 84A, este un dispozitiv de înaltă performanță, cu tehnologie siliciu carbid (SiC), ce oferă eficiență și fiabilitate superioară în aplicații de putere. Carcasa TO247-3, cu montare prin tehnologie THT, asigură disiparea termică optimă, cu o putere disipată de până la 715W. Acest tranzistor unipolar, cu canal îmbogățit, suportă un curent de drenă continuu de 84A și un curent de drenă în impuls de 295A, la o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2kV. Tensiunea poartă-sursă variază între -5V și 20V, iar rezistența în timpul funcționării este redusă, de doar 26mΩ, contribuind la minimizarea pierderilor energetice. Încărcătura poartă de 373nC facilitează un control precis și rapid al comutării. Ambalajul sub formă de tub asigură protecția componentelor în timpul manipulării și instalării. Acest N-MOSFET este ideal pentru sisteme care necesită performanță ridicată, stabilitate și durabilitate în condiții exigente.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință DIW120SIC028-DIO
Producător DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 715W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 295A
Polarizare unipolar
Curent drenă 84A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 26mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 373nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.