Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns

Tranzistor N-MOSFET SiC 900V 40A 149W TO247-4 Wolfspeed

C3M0030090K
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
348,72 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

97.38 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC Wolfspeed (CREE) 900V 40A 149W în carcasă TO247-4 este o soluție de înaltă performanță, proiectată pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate superioară. Cu o tensiune drenă-sursă de 900V și un curent maxim de drenă de 40A, dispozitivul asigură o putere disipată de 149W, gestionând sarcini mari cu stabilitate. Montarea prin tehnologie THT și carcasă TO247-4 facilitează integrarea robustă în circuite. Caracteristica terminalului Kelvin optimizează performanța electrică, reducând pierderile și îmbunătățind răspunsul tranzistorului. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit adaugă flexibilitate în controlul semnalului. Rezistența în timpul funcționării este de doar 37mΩ, ceea ce minimizează căldura generată și crește eficiența energetică. Încărcătura poartă de 87nC și timpul de restabilire rapid de 62ns contribuie la o comutare rapidă și precisă. Tensiunea poartă-sursă variabilă între -4V și 15V asigură compatibilitate extinsă cu diverse scheme de comandă. Tehnologia avansată SiC C3M™ conferă rezistență termică și electrică superioară, sporind durabilitatea și performanța în condiții exigente. Acest MOSFET reprezintă un echilibru optim între eficiență, putere și control, ideal pentru implementări ce necesită componente de ultimă generație.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință C3M0030090K
Producător Wolfspeed(CREE)
Putere disipată 149W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Polarizare unipolar
Curent drenă 40A
Tensiune drenă-sursă 900V
Tensiune poartă-sursă -4...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 37mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 87nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 62ns
Tehnologie C3M™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.