Categorii
N-MOSFET SiC Unipolar 1,2kV 29A 207W G3R75MT12D | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Unipolar 1,2kV 29A 207W G3R75MT12D | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Unipolar 1,2kV 29A 207W G3R75MT12D | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC Unipolar 1,2kV 29A 207W G3R75MT12D

G3R75MT12D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
86,60 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 29A Idm: 80A 207W, G3R75MT12D de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, cum ar fi tehnologia avansată SiC, puterea de disipare de 207W și curentul de drenaj în impuls de 80A. Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 29A, acest tranzistor oferă performanțe de înaltă calitate într-o varietate de aplicații.

Carcasa TO247-3 permite o montare ușoară și sigură, iar subtipul de ambalaj în tub asigură protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Rezistența în timpul funcționării de 75mΩ și subtipul de canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere fiabilă și durabilă pentru proiectele dumneavoastră. Tensiunea drenaj-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă cuprinse între -5 și 15V oferă flexibilitate în designul circuitelor.

Cu o încărcătură de poartă de 54nC și tipul de tranzistor N-MOSFET, acest produs este ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și eficiență energetică. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la GeneSiC SEMICONDUCTOR pentru proiectele dumneavoastră electronice și obțineți rezultate remarcabile.
Detalii ale produsului
164 Produse

Fisa tehnica

Referință G3R75MT12D
Producător GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 207W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 80A
Polarizare unipolar
Curent drenă 29A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 75mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 54nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie G3R™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: