Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 15A Idm: 48A 175W, G3R160MT17D de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici remarcabile. Acest tranzistor este montat THT și are o carcasă TO247-3, fiind ambalat într-un tub convenabil. Tehnologia avansată SiC asigură performanțe superioare și durabilitate pe termen lung.
Cu o putere disipată impresionantă de 175W, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj în impuls de până la 48A, oferind o polarizare unipolară eficientă. Cu un curent de drenaj de 15A și o tensiune drenaj-sursă de 1,7kV, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații exigente.
Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5 și 15V permite o flexibilitate sporită în utilizare, în timp ce rezistența redusă în timpul funcționării de 0.16Ω optimizează eficiența energetică. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 21nC completează caracteristicile de top ale acestui tranzistor.
Cu un tip de N-MOSFET, tranzistorul GeneSiC SEMICONDUCTOR este soluția ideală pentru aplicații care necesită o performanță superioară și fiabilitate pe termen lung. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate pentru a vă asigura că sistemul dvs. electronic funcționează la parametri optimi.