Categorii
N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 15A 175W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 15A 175W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 15A 175W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 15A 175W

G3R160MT17D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
94,34 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 15A Idm: 48A 175W, G3R160MT17D de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici remarcabile. Acest tranzistor este montat THT și are o carcasă TO247-3, fiind ambalat într-un tub convenabil. Tehnologia avansată SiC asigură performanțe superioare și durabilitate pe termen lung.

Cu o putere disipată impresionantă de 175W, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj în impuls de până la 48A, oferind o polarizare unipolară eficientă. Cu un curent de drenaj de 15A și o tensiune drenaj-sursă de 1,7kV, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații exigente.

Tensiunea poartă-sursă variabilă între -5 și 15V permite o flexibilitate sporită în utilizare, în timp ce rezistența redusă în timpul funcționării de 0.16Ω optimizează eficiența energetică. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 21nC completează caracteristicile de top ale acestui tranzistor.

Cu un tip de N-MOSFET, tranzistorul GeneSiC SEMICONDUCTOR este soluția ideală pentru aplicații care necesită o performanță superioară și fiabilitate pe termen lung. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate pentru a vă asigura că sistemul dvs. electronic funcționează la parametri optimi.
Detalii ale produsului
392 Produse

Fisa tehnica

Referință G3R160MT17D
Producător GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 175W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 48A
Polarizare unipolar
Curent drenă 15A
Tensiune drenă-sursă 1,7kV
1.7kV
Tensiune poartă-sursă -5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,16Ω
0.16Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 21nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie G3R™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: