Categorii
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
  • Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3

Tranzistor N-MOSFET IXYS Polar™ 100V 110A 480W TO247-3

IXFH110N10P
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
67,76 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET IXYS Polar™ 100V 110A 480W TO247-3 este o alegere excelentă pentru aplicații de putere, oferind performanțe remarcabile și fiabilitate. Fabricat de IXYS, acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia avansată HiPerFET™ și Polar™, asigurând o eficiență energetică superioară și o disipare optimă a căldurii.

Cu o putere disipată de până la 480W și un curent drenă de 110A, acest dispozitiv este ideal pentru circuite de alimentare, amplificatoare de putere și alte aplicații industriale. Tensiunea drenă-sursă de 100V și rezistența în timpul funcționării de doar 15mΩ contribuie la o performanță electrică excelentă, reducând pierderile de energie.

Montarea se face prin tehnologia THT, iar carcasa TO247-3 asigură o integrare ușoară în diverse aplicații. Subtipul ambalajului este tub, oferind protecție suplimentară în timpul transportului și manipulării. Polarizarea unipolară și încărcătura poartă de 110nC completează specificațiile tehnice, făcând acest tranzistor o soluție versatilă pentru inginerii care caută performanță și eficiență. Alege Tranzistorul N-MOSFET IXYS Polar™ pentru a îmbunătăți fiabilitatea și eficiența proiectelor tale electronice.
Detalii ale produsului
284 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFH110N10P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 480W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 110A
Tensiune drenă-sursă 100V
Rezistenţă în timpul funcţionării 15mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 110nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HiPerFET™
Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: