Tranzistor N-MOSFET 150V 118A 429W TO247 ONSEMI este o soluție avansată pentru aplicații de putere, oferind performanțe remarcabile și fiabilitate. Proiectat de ONSEMI, acest tranzistor se remarcă prin montarea THT (Through-Hole Technology), facilitând integrarea ușoară în diverse circuite electronice. Carcasa TO247 asigură o disipare eficientă a căldurii, având o putere disipată de 429W, ceea ce îl face ideal pentru utilizări în medii cu temperaturi ridicate.
Cu un curent drenă impresionant de 118A și o tensiune drenă-sursă de 150V, acest tranzistor N-MOSFET este perfect pentru aplicații industriale și comerciale care necesită performanțe de vârf. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la o eficiență energetică superioară. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de doar 5,9mΩ garantează o operare stabilă și rapidă.
Acest tranzistor este un component esențial pentru orice proiect care necesită control precis al energiei electrice. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET 150V 118A 429W TO247 ONSEMI pentru a beneficia de tehnologie de vârf și performanță de încredere în aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
17 Produse
Fisa tehnica
Referință
FDH055N15A
Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
429W
Montare
THT
Carcasă
TO247
Polarizare
unipolar
Curent drenă
118A
Tensiune drenă-sursă
150V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
5,9mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.