Categorii
Tranzistor unipolar 650V 50A - WMOS™ C4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor unipolar 650V 50A - WMOS™ C4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor unipolar 650V 50A - WMOS™ C4

WMJ90N65C4
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
149,11 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

47.38 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Descoperiți performanța superioară a tranzistorului unipolar 650V 50A - WMOS™ C4 de la Wayo, o soluție ideală pentru aplicații exigente în domeniul electronicii. Conceput cu tehnologia avansată WMOS™ C4, acest N-MOSFET oferă o putere disipată impresionantă de 430W și un curent de drenă stabil de 50A, garantând fiabilitate și eficiență în funcționare.

Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este perfect adaptat pentru medii de lucru cu cerințe ridicate. Rezistența de 29mΩ în timpul funcționării asigură pierderi minime de energie, contribuind la creșterea eficienței sistemului.

Montarea THT și carcasa TO247-3 facilitează integrarea simplă și rapidă în orice circuit, iar ambalajul tip tub protejează produsul în timpul transportului. Cu un curent de drenă în impuls de 295A și o încărcătură poartă de 142nC, WMOS™ C4 se dovedește a fi soluția perfectă pentru aplicații de putere înalte, oferind performanțe de neegalat. Alegeți Wayo pentru inovație și excelență în electronică!
Detalii ale produsului
20 Produse

Fisa tehnica

Referință WMJ90N65C4-CYG
Producător WAYON
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 430W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 295A
Polarizare unipolar
Curent drenă 50A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 29mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 142nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie WMOS™ C4
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: