Descoperiți performanța superioară a tranzistorului unipolar 650V 50A - WMOS™ C4 de la Wayo, o soluție ideală pentru aplicații exigente în domeniul electronicii. Conceput cu tehnologia avansată WMOS™ C4, acest N-MOSFET oferă o putere disipată impresionantă de 430W și un curent de drenă stabil de 50A, garantând fiabilitate și eficiență în funcționare.
Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este perfect adaptat pentru medii de lucru cu cerințe ridicate. Rezistența de 29mΩ în timpul funcționării asigură pierderi minime de energie, contribuind la creșterea eficienței sistemului.
Montarea THT și carcasa TO247-3 facilitează integrarea simplă și rapidă în orice circuit, iar ambalajul tip tub protejează produsul în timpul transportului. Cu un curent de drenă în impuls de 295A și o încărcătură poartă de 142nC, WMOS™ C4 se dovedește a fi soluția perfectă pentru aplicații de putere înalte, oferind performanțe de neegalat. Alegeți Wayo pentru inovație și excelență în electronică!
Detalii ale produsului
20 Produse
Fisa tehnica
Referință
WMJ90N65C4-CYG
Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
430W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
295A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
50A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
29mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
142nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ C4
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.