Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET unipolar 1,2kV 5A Idm 28A 335W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET unipolar 1,2kV 5A Idm 28A 335W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET unipolar 1,2kV 5A Idm 28A 335W TO247-3

APT7M120B
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; TO247-3
63,11 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Descoperiți performanța de vârf cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 1,2kV 5A Idm 28A 335W TO247-3 de la Microchip. Acest component electronic este proiectat pentru aplicații care necesită fiabilitate și eficiență, având o putere disipată de 335W și un curent de drenă de 5A, ideal pentru circuite de putere mari. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și o polarizare unipolară, acest tranzistor asigură un control excelent al energiei.

Construit pe tehnologia avansată POWER MOS 8®, acest N-MOSFET se remarcă printr-o rezistență în timpul funcționării de doar 2,1Ω, ceea ce contribuie la o eficiență energetică superioară. Curentul de drenă în impuls de 28A și tensiunea poartă-sursă de ±30V îl fac ideal pentru aplicații variate, inclusiv în domeniul industrial și în echipamentele de alimentare.

Carcasa TO247-3 și montarea THT facilitează integrarea acestui tranzistor în proiectele dumneavoastră, iar încărcătura poartă de 80nC asigură un răspuns rapid și eficient. Alegeți N-MOSFET-ul unipolar de la Microchip pentru soluții electrice de încredere, performante și durabile!
Detalii ale produsului
10 Produse

Fisa tehnica

Referință APT7M120B
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată 335W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 28A
Polarizare unipolar
Curent drenă 5A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,1Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 80nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie POWER MOS 8®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: