Descoperiți performanța de vârf și fiabilitatea excepțională oferite de Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 48A Idm: 295A 430W de la Wayo. Acest dispozitiv avansat este proiectat pentru a îndeplini cele mai exigente cerințe ale aplicațiilor de putere, având o putere disipată de 430W și un curent de drenă de 48A, perfect pentru circuite de înaltă eficiență.
Construit cu tehnologia WMOS™ EM, acest tranzistor N-MOSFET se distinge printr-o rezistență de numai 43mΩ în timpul funcționării, asigurând o disipare minimă de energie și o performanță optimă. Tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±30V permit utilizarea în aplicații cu cerințe electrice ridicate, oferind astfel versatilitate și fiabilitate.
Montarea THT și carcasa TO247-3 facilitează integrarea ușoară în proiectele dumneavoastră, în timp ce subtipul canal îmbogățit asigură o reacție rapidă și eficientă. Cu o încărcătură a porții de 142nC și un curent de drenă în impuls de 295A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de comutare rapidă și control al puterii.
Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la Wayo pentru soluții electrice de înaltă performanță și eficiență energetică!
Detalii ale produsului
26 Produse
Fisa tehnica
Referință
WMJ80N60EM-CYG
Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
430W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
295A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
48A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
43mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
142nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ EM
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.