Categorii
Tranzistor N-MOSFET 300V 100A 48W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 300V 100A 48W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 300V 100A 48W

IXFH100N30X3
Tranzistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
104,18 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

36.12 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Descoperiți puterea și versatilitatea tranzistorului N-MOSFET 300V 100A 48W de la IXYS, un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a oferi o eficiență maximă, având o putere disipată de 48W și o rezistență în timpul funcționării de doar 13,5mΩ, ceea ce îl face perfect pentru aplicații cu cerințe ridicate de curent și tensiune.

Montarea sa prin tehnologia THT (Through-Hole Technology) și carcasa TO247-3 facilitează integrarea ușoară în diverse circuite, asigurând o conectivitate fiabilă. Cu un curent drenă impresionant de 100A și o tensiune drenă-sursă de 300V, acest tranzistor garantează performanțe de vârf, chiar și în cele mai exigente condiții de operare.

Polarizarea unipolară și timpul de restabilire de 130ns îl fac ideal pentru aplicații rapide, în timp ce subtipul canal îmbogăţit și tehnologia avansată HiPerFET™ și X3-Class asigură o eficiență energetică optimizată și o capacitate de răspuns rapid. Încărcătura poartă de 122nC contribuie la controlul precis al semnalului, sporind astfel fiabilitatea sistemului.

Alegeți tranzistorul N-MOSFET 300V 100A 48W de la IXYS pentru soluții de putere de încredere și eficiente, care să susțină inovația și performanța în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
20 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFH100N30X3
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 48W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 100A
Tensiune drenă-sursă 300V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 13,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 122nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 130ns
Tehnologie HiPerFET™
X3-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: