Categorii
N-MOSFET Hi-PotMOS2 500V 5A Tranzistor Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Hi-PotMOS2 500V 5A Tranzistor Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Hi-PotMOS2 500V 5A Tranzistor Unipolar

P5F50HP2F-5600
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A
7,16 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 500V 5A Idm: 20A de la SHINDENGEN este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de 52,5W. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 500V și o rezistență în timpul funcționării de 1,65Ω, acest tranzistor este perfect pentru sarcini de până la 20A în impuls. Montat în carcasă FTO-220AG (SC91) și având o polarizare unipolară, acest tranzistor N-MOSFET oferă o fiabilitate și o durabilitate excepționale. Tehnologia Hi-PotMOS2 și subtipul canal îmbogățit asigură performanțe superioare și un răspuns rapid la semnalele de comandă. Cu un curent de drenaj de 5A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este potrivit pentru diverse aplicații electronice care necesită o comutare eficientă și fiabilă. Încărcătura poartă de 10,5nC și subtipul de ambalaj în vrac fac din acest tranzistor N-MOSFET un component versatil și ușor de integrat în proiectele dvs. industriale sau de hobby. Alegeți calitatea și performanța cu tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN!
Detalii ale produsului
71 Produse

Fisa tehnica

Referință P5F50HP2F-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 52,5W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 20A
Polarizare unipolar
Curent drenă 5A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,65Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 10,5nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: