Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 500V 5A Idm: 20A de la SHINDENGEN este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de 52,5W. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 500V și o rezistență în timpul funcționării de 1,65Ω, acest tranzistor este perfect pentru sarcini de până la 20A în impuls. Montat în carcasă FTO-220AG (SC91) și având o polarizare unipolară, acest tranzistor N-MOSFET oferă o fiabilitate și o durabilitate excepționale. Tehnologia Hi-PotMOS2 și subtipul canal îmbogățit asigură performanțe superioare și un răspuns rapid la semnalele de comandă. Cu un curent de drenaj de 5A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este potrivit pentru diverse aplicații electronice care necesită o comutare eficientă și fiabilă. Încărcătura poartă de 10,5nC și subtipul de ambalaj în vrac fac din acest tranzistor N-MOSFET un component versatil și ușor de integrat în proiectele dvs. industriale sau de hobby. Alegeți calitatea și performanța cu tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN!
Detalii ale produsului
71 Produse
Fisa tehnica
Referință
P5F50HP2F-5600
Producător
SHINDENGEN
Subtip ambalaj
în vrac
Putere disipată
52,5W
Montare
THT
Carcasă
FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls
20A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
5A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,65Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
10,5nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.