Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 62A 65W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici deosebite. Acesta are o putere de disipare de 65W și o rezistență în timpul funcționării de 8,7mΩ, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit îl fac ideal pentru utilizare în circuitele logice. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 30V și o curent de drenaj de 62A, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicațiile sale. Tehnologia HEXFET® asigură o funcționare fiabilă și eficientă, iar încărcătura de poartă de 7,6nC optimizează răspunsul tranzitoriu al dispozitivului. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru o varietate de aplicații din domeniul electronicelor. Embalat într-un tub și montat THT, acesta este ușor de integrat în diverse proiecte electronice. Alege Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 62A 65W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRLB8721PBF |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
65W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220AB |
Caracteristici elemente semiconductoare |
logic level |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
62A |
Tensiune drenă-sursă |
30V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
8,7mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
7,6nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
HEXFET® |
Fisiere asociate
Descarcari