Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Cu o putere disipată de 88W și o curent drenă de 46A, acest tranzistor asigură o funcționare fiabilă și eficientă.
Carcasa TO220AB și montarea pe tehnologia THT fac din acest tranzistor o alegere potrivită pentru diverse aplicații industriale și comerciale. Cu o tensiune drenă-sursă de 55V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță deosebită în diverse condiții de lucru.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 16,5mΩ și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor asigură o conducere eficientă a curentului și o disipare optimă a căldurii. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor are o încărcătură de poartă de 48nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare.
În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES, cu tehnologia HEXFET®, este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate, performanță și eficiență.