Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 200V 11A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 11A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 11A 125W TO220AB

IRF640PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
17,70 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 200V 11A 125W TO220AB este un element electronic de înaltă performanță, ce se remarcă prin caracteristici tehnice deosebite. Acest dispozitiv este ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 125W, având o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 200V.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,18Ω, acest tranzistor N-MOSFET este potrivit pentru sarcini de curent de până la 11A. Carcasa TO220AB asigură o montare cu fir pe placa de bază, oferind o bună disipare a căldurii și o conexiune stabilă.

Subtipul ambalajului este în formă de tub, ușor de instalat, iar subtipul canalului este îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru diverse aplicații. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și încărcătura poartă de 70nC completează caracteristicile acestui tranzistor de înaltă performanță.

Cu tranzistorul VISHAY N-MOSFET, veți putea realiza proiecte electronice complexe cu eficiență și fiabilitate, beneficiind de calitatea și performanța remarcabilă a acestui produs de încredere.
Detalii ale produsului
3131 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF640PBF
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 125W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 11A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,18Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 70nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (148.31KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: