Categorii
  • NRF52840-DONGLE

N-MOSFET Tranzistor 100V 59A 160W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 59A 160W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 59A 160W TO220AB

IRF3710ZPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
19,02 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 59A 160W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile electronice care necesită performanțe ridicate. Acest tranzistor are o putere disipată de 160W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini exigente. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă.

Cu o curent drenă de 59A și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini mari. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 18mΩ contribuie la performanțele excelente ale acestui dispozitiv.

Tranzistorul N-MOSFET este echipat cu tehnologia HEXFET®, care asigură o funcționare fiabilă și eficientă. Cu un subtip canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 82nC, acest tranzistor oferă performanțe superioare într-un pachet compact TO220AB, potrivit pentru montajul pe suprafață.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 59A 160W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru aplicațiile care necesită putere, fiabilitate și eficiență.
Detalii ale produsului
191 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF3710ZPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 160W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 59A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 18mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 82nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: