Categorii
N-MOSFET Tranzistor 800V 10A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 800V 10A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 800V 10A

WMJ10N80D1
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
16,01 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ D1 unipolar 800V 10A Idm: 40A 215W este un produs de înaltă calitate, fabricat de către WAYON, liderul în industria electronică. Acest tranzistor este ambalat într-un tub, ușor de montat prin tehnologia THT, având o carcasă TO247-3 durabilă.

Cu o putere disipată de 215W, acest tranzistor este proiectat pentru a face față sarcinilor intensive. Cu un curent de drenă în impuls de 40A și o polarizare unipolară, acesta oferă performanțe excelente în diverse aplicații.

Tensiunea drenă-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Cu o rezistență de doar 910mΩ în timpul funcționării, acest tranzistor oferă eficiență și performanță superioare.

Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 33nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la performanță. Tipul N-MOSFET și tehnologia WMOS™ D1 asigură o funcționare precisă și fiabilă în orice condiții.

Cu Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ D1, veți beneficia de calitate, performanță și fiabilitate de top pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
234 Produse

Fisa tehnica

Referință WMJ10N80D1-CYG
Producător WAYON
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 215W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 40A
Polarizare unipolar
Curent drenă 10A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 910mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 33nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie WMOS™ D1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: