Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ D1 unipolar 800V 10A Idm: 40A 215W este un produs de înaltă calitate, fabricat de către WAYON, liderul în industria electronică. Acest tranzistor este ambalat într-un tub, ușor de montat prin tehnologia THT, având o carcasă TO247-3 durabilă.
Cu o putere disipată de 215W, acest tranzistor este proiectat pentru a face față sarcinilor intensive. Cu un curent de drenă în impuls de 40A și o polarizare unipolară, acesta oferă performanțe excelente în diverse aplicații.
Tensiunea drenă-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Cu o rezistență de doar 910mΩ în timpul funcționării, acest tranzistor oferă eficiență și performanță superioare.
Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 33nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la performanță. Tipul N-MOSFET și tehnologia WMOS™ D1 asigură o funcționare precisă și fiabilă în orice condiții.
Cu Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ D1, veți beneficia de calitate, performanță și fiabilitate de top pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
234 Produse
Fisa tehnica
Referință
WMJ10N80D1-CYG
Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
215W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
40A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
10A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
910mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
33nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ D1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.