Categorii
N-MOSFET Tranzistor 650V 3,1A 96W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 650V 3,1A 96W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 650V 3,1A 96W

STD5NM60-1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
13,50 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici impresionante. Acesta vine într-un ambalaj tub și poate fi montat utilizând tehnologia THT. Carcasa IPAK oferă o putere disipată de 96W, iar curentul de drenaj în impuls poate ajunge până la 20A. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu un curent de drenaj de 3,1A și o tensiune drenaj-sursă de 650V, acest tranzistor este un instrument puternic și fiabil. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența în timpul funcționării de 1Ω asigură performanțe excelente în orice scenariu. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 18nC completează specificațiile impresionante ale acestui dispozitiv.

Tranzistorul N-MOSFET STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru cei care caută un produs de calitate superioară, fabricat cu tehnologia MDmesh™. Cu o gamă largă de caracteristici și o putere impresionantă, acest tranzistor este ideal pentru o varietate de aplicații electronice.
Detalii ale produsului
130 Produse

Fisa tehnica

Referință STD5NM60-1
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 96W
Montare THT
Carcasă IPAK
Curent de drenă în impuls 20A
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,1A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 18nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: