Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici impresionante. Acesta vine într-un ambalaj tub și poate fi montat utilizând tehnologia THT. Carcasa IPAK oferă o putere disipată de 96W, iar curentul de drenaj în impuls poate ajunge până la 20A. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.
Cu un curent de drenaj de 3,1A și o tensiune drenaj-sursă de 650V, acest tranzistor este un instrument puternic și fiabil. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența în timpul funcționării de 1Ω asigură performanțe excelente în orice scenariu. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 18nC completează specificațiile impresionante ale acestui dispozitiv.
Tranzistorul N-MOSFET STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru cei care caută un produs de calitate superioară, fabricat cu tehnologia MDmesh™. Cu o gamă largă de caracteristici și o putere impresionantă, acest tranzistor este ideal pentru o varietate de aplicații electronice.