Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la DIODES INCORPORATED este un dispozitiv electronic de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în diferite aplicații. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj în vrac și este montat pe placa de circuit folosind tehnologia THT. Cu o carcasă TO92 compactă, acest tranzistor are o putere disipată de 0,85W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe moderate de putere.
Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor N-MOSFET poate gestiona un curent de drenaj de până la 1,1A și o tensiune drenaj-sursă de 60V. Tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și fiabilă a dispozitivului. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,45Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente în diverse aplicații.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de comutare și amplificare. Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la DIODES INCORPORATED este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită un dispozitiv fiabil și eficient.