Categorii
Etichete
N-MOSFET Unipolar 600V 1.6A 35W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 600V 1.6A 35W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 600V 1.6A 35W TO220FP

IRFIBC30GPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,6A; 35W; TO220FP
12,83 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 600V 1,6A 35W TO220FP este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor se remarcă prin calitatea și fiabilitatea sa superioară.

Subtipul de ambalaj tub și montarea THT fac instalarea acestui tranzistor simplă și rapidă, asigurând o funcționare eficientă în diverse configurații. Carcasa TO220FP oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi nocivi, menținând tranzistorul în condiții optime de funcționare.

Cu o putere disipată de 35W, acest tranzistor poate gestiona sarcini semnificative fără a compromite performanța. Polarizarea unipolară și o tensiune drenă-sursă de 600V asigură o funcționare stabilă și sigură în diferite medii de lucru.

Curentul drenă de 1,6A și tensiunea poartă-sursă de ±20V sunt caracteristici cheie care fac acest tranzistor ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de curent și tensiune. Rezistența în timpul funcționării de 2,2Ω și subtipul canal îmbogățit garantează o performanță constantă și durabilă în timp.

Încărcătura poartă de 31nC și tipul N-MOSFET completează caracteristicile acestui tranzistor, oferind o soluție completă și eficientă pentru proiectele electronice sofisticate. Cu Tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 600V 1,6A 35W TO220FP, veți obține performanță și fiabilitate superioare pentru aplicațiile dvs. exigente.
Detalii ale produsului
439 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFIBC30GPBF
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 35W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Polarizare unipolar
Curent drenă 1,6A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,2Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 31nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (924.13KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: