Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 30V 120A 176.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 30V 120A 176.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 30V 120A 176.5W

STP200N3LL
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176,5W
15,71 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 120A Idm: 480A 176,5W de la STMicroelectronics este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare ridicată și o rezistență redusă în timpul funcționării. Acest tranzistor se remarcă prin subtipul de ambalaj tub și montare THT, oferind o instalare simplă și sigură. Carcasa TO220-3 asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând în același timp tranzistorul la o temperatură optimă.

Cu o tensiune de drenă-sursă de 30V și o curent de drenă în impuls de 480A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere ridicate fără probleme. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o gamă largă de aplicații. De asemenea, tensiunea poartă-sursă de ±20V și încărcătura de poartă de 53nC îl fac extrem de fiabil în funcționare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 2,4mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o performanță optimă în aplicațiile tale electronice. Fiind un N-MOSFET de înaltă calitate, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele tale care necesită un semnal puternic și fiabil.
Detalii ale produsului
20 Produse

Fisa tehnica

Referință STP200N3LL
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 176,5W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Curent de drenă în impuls 480A
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 53nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: