Categorii
N-MOSFET 40V 250A 230W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 40V 250A 230W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 40V 250A 230W TO220AB

IRFB7437PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
19,03 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv puternic și fiabil, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor are o putere disipată de 230W și poate suporta o tensiune drenă-sursă de până la 40V. Cu o curent drenă impresionantă de 250A, acesta este potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare.

Tranzistorul are o rezistență în timpul funcționării de doar 2mΩ, asigurând o eficiență excelentă a dispozitivului. Polarizarea acestuia este unipolară, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 150nC. Cu tehnologia HEXFET®, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile și fiabilitate pe termen lung.

Tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este ambalat într-un tub și poate fi montat pe suprafață cu ajutorul carcasei TO220AB. Denumirea comercială a acestui tranzistor este StrongIRFET. Cu specificațiile sale impresionante și calitatea sa superioară, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră de electronică.
Detalii ale produsului
29 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB7437PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 230W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Denumire comercială StrongIRFET
Polarizare unipolar
Curent drenă 250A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 150nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: