Categorii
Etichete
N-MOSFET Tranzistor 40V 190A 220W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 40V 190A 220W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 40V 190A 220W TO220AB

IRF1404ZPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
13,94 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 190A 220W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este soluția perfectă pentru aplicațiile care necesită performanțe ridicate și fiabilitate. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220AB și poate fi montat prin găuri de trecere (THT). Cu o putere disipată de 220W, acesta poate gestiona cu ușurință sarcini de curent mari, având o polarizare unipolară.

Cu o tensiune drenă-sursă de 40V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în aplicațiile cu cerințe ridicate de tensiune. Rezistența sa în timpul funcționării de 3,7mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu o încărcătură mare.

Acest tranzistor N-MOSFET are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 0,1µC, oferind performanțe superioare și o funcționare fiabilă. Cu tehnologia HEXFET®, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și de lungă durată într-o varietate de aplicații.
Detalii ale produsului
300 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF1404ZPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 220W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 190A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,1µC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (307.42KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: