Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NEXPERIA este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor este ambalat într-un tub durabil și poate fi montat utilizând tehnologia THT. Carcasa TO220AB și SOT78 asigură o disipare eficientă a puterii de până la 103W. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 100V și o curent de drenaj de 37A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 148A în impulsuri.
Polarizarea unipolară și tensiunea drenaj-sursă de ±20V fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile. Rezistența în timpul funcționării de 59mΩ asigură o eficiență ridicată și o disipare redusă a căldurii. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura de poartă de 30nC garantează o performanță fiabilă și constantă.
Cu caracteristici deosebite precum un subtip ambalaj durabil, o montare simplă și o putere de disipare ridicată, tranzistorul N-MOSFET de la NEXPERIA este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Fiind un produs de înaltă calitate, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
3 Produse
Fisa tehnica
Referință
PSMN027-100PS.127
Producător
NEXPERIA
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
103W
Montare
THT
Carcasă
SOT78
TO220AB
Curent de drenă în impuls
148A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
37A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
59mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
30nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.