Categorii
Etichete
N-MOSFET Tranzistor 75V 82A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 75V 82A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 75V 82A 200W TO220AB

IRF2807PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
18,36 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 200W, o polarizare unipolară și poate suporta o tensiune drenă-sursă de până la 75V. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 13mΩ, acest tranzistor este extrem de eficient din punct de vedere energetic.

Subtipul ambalajului este tub, iar montarea este de tip THT. Carcasa TO220AB oferă o protecție solidă și o dispersie termică optimă. Cu o curent drenă de 82A și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 106,7nC.

Tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de încredere, care folosește tehnologia HEXFET® pentru performanțe superioare. Cu aceste caracteristici impresionante, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice care necesită o soluție robustă și eficientă.
Detalii ale produsului
372 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF2807PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 200W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 82A
Tensiune drenă-sursă 75V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 13mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 106,7nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (211.39KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: