Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor este încapsulat într-un tub TO220AB, ceea ce îl face ușor de montat în aplicații THT. Cu o putere disipată impresionantă de 330W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 130A de curent drenat. Tensiunea drenă-sursă este de 75V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă.
Datorită rezistenței reduse în timpul funcționării de doar 7,8mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicații cu cerințe ridicate de eficiență energetică. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 160nC, ceea ce permite comutarea rapidă a dispozitivului. Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia HEXFET®, care asigură o fiabilitate și o durabilitate sporite în condiții de funcționare exigente.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită un dispozitiv de comutare puternic și eficient. Fiind fabricat de un producător de încredere și beneficiază de tehnologia de ultimă generație, acest tranzistor este soluția ideală pentru proiectele electronice complexe și de înaltă performanță.