Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 100V 80A 260W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 80A 260W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 80A 260W TO220AB

IRF8010PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
12,83 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 80A 260W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe de înaltă calitate și fiabilitate. Cu o putere disipată de 260W, acesta poate gestiona sarcini de curent mare și este ideal pentru aplicații de putere. Carcasa TO220AB asigură o montare ușoară și o disipare eficientă a căldurii.

Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 100V și o tensiune poartă-sursă de ±20V. Rezistența în timpul funcționării de 15mΩ asigură o conductivitate optimă și o eficiență ridicată. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portii de 81nC permite o comutare rapidă și precisă.

Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia HEXFET®, ceea ce garantează o performanță de vârf și o durabilitate de lungă durată. Cu o gamă largă de caracteristici și o calitate superioară de construcție, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
100 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF8010PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 260W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 80A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 15mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 81nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (498.93KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: