Categorii
Tranzistor N-MOSFET 150V 35A 144W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 150V 35A 144W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 150V 35A 144W TO220AB

IRFB4615PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
14,59 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 150V 35A 144W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic puternic, proiectat pentru a oferi performanțe remarcabile în aplicațiile tale. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, precum carcasa TO220AB, care asigură o montare simplă și rapidă pe placa de circuit integrat. Cu o putere de disipare de 144W, acest tranzistor poate face față sarcinilor intense fără să se supraîncălzească.

Cu o polarizare unipolară, tranzistorul N-MOSFET oferă o funcționare fiabilă și eficientă. Cu un curent de drenaj de 35A și o tensiune de drenaj-sursă de 150V, acest dispozitiv poate gestiona cu succes sarcinile de lucru. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 39mΩ contribuie la o performanță optimă și o durată de viață lungă a tranzistorului.

Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 26nC sunt caracteristici care îmbunătățesc semnificativ performanța acestui tranzistor. Tipul N-MOSFET și tehnologia HEXFET® asigură o funcționare stabilă și eficientă în diverse aplicații.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 150V 35A 144W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru proiectele tale electronice complexe, oferind o combinație perfectă între performanță, fiabilitate și durabilitate. Optează pentru acest tranzistor și vei experimenta rezultate remarcabile în proiectele tale.
Detalii ale produsului
92 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB4615PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 144W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 35A
Tensiune drenă-sursă 150V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 39mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 26nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: