Categorii
N-MOSFET Tranzistor 30V 260A 230W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 30V 260A 230W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 30V 260A 230W TO220AB

IRLB3813PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
14,48 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de 30V 260A 230W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor beneficiază de o putere disipată de 230W și caracteristici elemente semiconductoare de tip logic level, ceea ce îl face potrivit pentru diverse aplicații.

Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 1,95mΩ, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portii este de 57nC, oferind performanțe remarcabile.

Cu o tensiune drenaj-sursă de 30V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor se remarcă prin stabilitate și fiabilitate. Tehnologia HEXFET® utilizată în acest produs asigură o funcționare optimă și o durată lungă de viață.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru cei care caută un produs de înaltă calitate, fiabil și eficient pentru aplicațiile lor electronice.
Detalii ale produsului
784 Produse

Fisa tehnica

Referință IRLB3813PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 230W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Polarizare unipolar
Curent drenă 260A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,95mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 57nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: