Categorii

  • NRF52840-DONGLE

    NRF52840-DONGLE
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 500V 6.6A 114W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 500V 6.6A 114W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 500V 6.6A 114W TO220AB

SIHP12N50E-GE3
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
15,38 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 6,6A Idm: 121A 114W TO220AB de la VISHAY este o alegere excelentă pentru proiectele tale electronice. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale de top, cum ar fi carcasa TO220AB durabilă și ușor de montat, puterea disipată de 114W pentru o performanță optimă și un curent de drenă în impuls de 121A pentru o funcționare fiabilă. Polarizarea unipolară asigură o funcționare simplă și eficientă, iar tensiunea de drenaj-sursă de 500V și tensiunea de poartă-sursă de ±30V permit utilizarea în diverse aplicații. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,38Ω, acest tranzistor N-MOSFET oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura de poartă de 50nC completează pachetul de caracteristici de excepție ale acestui tranzistor. Dacă cauți un tranzistor de înaltă calitate pentru proiectele tale electronice, tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 6,6A Idm: 121A 114W TO220AB de la VISHAY este alegerea perfectă.
Detalii ale produsului
466 Produse

Fisa tehnica

Referință SIHP12N50E-GE3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 114W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Curent de drenă în impuls 121A
Polarizare unipolar
Curent drenă 6,6A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,38Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 50nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: