Tranzistorul N-MOSFET SuperMESH3™ unipolar de la STMicroelectronics este o alegere excelentă pentru aplicațiile electronice care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Cu o putere disipată de 125W și o tensiune drenă-sursă de 1kV, acest tranzistor este ideal pentru proiecte care necesită o performanță fiabilă și durabilă.
Carcasa TO247 și montarea THT facilitează integrarea acestui tranzistor în diverse aplicații, iar rezistența redusă în timpul funcționării de 3,7Ω asigură o eficiență maximă a circuitului. Cu un curent de drenaj de 2,2A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un subtip canal îmbogățit.
Tehnologia SuperMESH3™ aduce un plus de fiabilitate și performanță acestui tranzistor N-MOSFET, făcându-l o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o funcționare eficientă și constantă. Cu caracteristicile sale impresionante și calitatea superioară a producătorului STMicroelectronics, acest tranzistor este soluția perfectă pentru proiectele electronice complexe și de înaltă performanță.