Tranzistorul N-MOSFET STripFET™ unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor oferă o putere disipată impresionantă de 158W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații care necesită o capacitate mare de gestionare a căldurii. Cu un curent de drenaj în impuls de 320A și un curent de drenaj continuu de 80A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de mare intensitate fără probleme.
Cu o tensiune drenaj-sursă de 60V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o gamă largă de funcționare, fiind potrivit pentru diverse aplicații. Rezistența sa în timpul funcționării de 3,5mΩ îl face eficient din punct de vedere energetic și rezistent la suprasarcini.
Tranzistorul N-MOSFET STripFET™ vine într-un ambalaj tubular și se montează pe placa de circuit utilizând tehnologia THT. Carcasa sa TO220-3 asigură o disipare eficientă a căldurii, protejând tranzistorul împotriva supraîncălzirii. Cu un subtip de canal îmbogățit și o polarizare unipolară, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe exceptionale și fiabilitate pe termen lung.