Categorii
N-MOSFET Tranzistor 800V 29A TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 800V 29A TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 800V 29A TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 800V 29A TO264

APT44F80L
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W; TO264
157,80 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

49.55 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 29A Idm: 173A 1135W TO264, APT44F80L de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici remarcabile. Acest tranzistor este echipat cu tehnologia POWER MOS 8®, care asigură performanțe excelente și durabilitate pe termen lung. Cu o putere disipată impresionantă de 1135W, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii.

Cu un curent de drenă în impuls de 173A și un curent de drenă de 29A, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de putere mari fără probleme. Tensiunea drenă-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V fac acest tranzistor potrivit pentru aplicații cu cerințe de tensiune ridicate.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0.21Ω, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de funcționare variate. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 305nC fac acest tranzistor ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 29A Idm: 173A 1135W TO264, APT44F80L de la MICROCHIP (MICROSEMI) este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de putere, eficiență și fiabilitate. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate și obțineți rezultate remarcabile în aplicațiile dvs. electronice.
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință APT44F80L
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată 1135W
Montare THT
Carcasă TO264
Curent de drenă în impuls 173A
Polarizare unipolar
Curent drenă 29A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,21Ω
0.21Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 305nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie POWER MOS 8®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
5 produse asociate: