Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 500V 12.9A 38.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 500V 12.9A 38.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 500V 12.9A 38.5W

FDPF20N50T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12,9A; Idm: 80A; 38,5W
36,03 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 500V 12,9A Idm: 80A 38,5W este un dispozitiv electronic de înaltă performanță care se remarcă prin caracteristicile sale deosebite. Producătorul acestui tranzistor este ONSEMI, iar acesta vine într-un subtip de ambalaj sub formă de tub și poate fi montat prin tehnica THT. Carcasa tranzistorului este de tip TO220FP, având o putere disipată de 38,5W.

Cu un curent de drenă în impuls de 80A, acest tranzistor are o polarizare unipolară și un curent de drenă nominal de 12,9A. Tensiunea drenă-sursă este de 500V, în timp ce tensiunea poartă-sursă este de ±30V. Rezistența în timpul funcționării a acestui tranzistor este de 0,23Ω, iar subtipul canalului este îmbogățit.

Cu o încărcătură poartă de 59,5nC, acest tranzistor este de tip N-MOSFET și beneficiază de tehnologia UniFET™ DMOS. Cu toate aceste caracteristici deosebite, tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 500V 12,9A Idm: 80A 38,5W este alegerea ideală pentru aplicațiile care necesită fiabilitate și performanță deosebită.
Detalii ale produsului
48 Produse

Fisa tehnica

Referință FDPF20N50T
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 38,5W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Curent de drenă în impuls 80A
Polarizare unipolar
Curent drenă 12,9A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,23Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 59,5nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie DMOS
UniFET™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: