Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI este un component electronic de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o putere disipată de 38,5W și poate suporta o tensiune drenă-sursă de până la 500V, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de utilizări.
Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor este ideal pentru aplicații în care este necesar un control precis al curentului. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 265mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente și eficiență energetică.
Carcasa TO220FP îl face ușor de montat, iar subtipul ambalajului sub formă de tub îl protejează împotriva daunelor mecanice în timpul manipulării. Tehnologia UniFET™ îi conferă fiabilitate și durabilitate, garantând o funcționare fără probleme pe termen lung.
Cu un curent drenă de 10,8A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații, de la surse de alimentare la invertorii de putere. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 60nC îl fac ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a tensiunii.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice care necesită performanțe de vârf și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FDPF18N50 |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
38,5W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220FP |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
10,8A |
Tensiune drenă-sursă |
500V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
265mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
60nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
UniFET™ |
Fisiere asociate
Descarcari