Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NTE Electronics este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale utilizatorilor din domeniul electronicelor. Cu o putere disipată impresionantă de 200W și un curent de drenă în impuls de 330A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță ridicată.
Carcasa TO220 asigură o montare simplă și sigură, iar tensiunea drenă-sursă de 60V și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru diverse aplicații. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 12mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență remarcabilă și o durabilitate sporită.
Subtipul canal îmbogățit și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele care necesită o performanță de vârf. Cu o curent drenă de 59A, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă largă de aplicații în domeniul electronicelor.
Indiferent de proiectul dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NTE Electronics va oferi performanțe remarcabile și fiabilitate de neegalat. Alegeți calitatea și performanța cu acest tranzistor de înaltă calitate!
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
NTE2996 |
Producător |
NTE Electronics |
Putere disipată |
200W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220 |
Curent de drenă în impuls |
330A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
59A |
Tensiune drenă-sursă |
60V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
12mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari