Categorii
Tranzistor N-MOSFET 900V 5,8A 200W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 900V 5,8A 200W TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 900V 5,8A 200W TO247

STW11NK90Z
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5,8A; Idm: 36,8A; 200W; TO247
56,94 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, cu o putere disipată de 200W și un curent de drenă de 5,8A. Acest tranzistor este montat într-un ambalaj TO247 și este potrivit pentru montajul pe suprafață THT. Cu o tensiune drenă-sursă de 900V și o rezistență în timpul funcționării de 980mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente. De asemenea, dispune de caracteristici de protecție ESD pentru poarta sa, asigurând o durată lungă de viață. Cu un curent de drenă în impuls de 36,8A și o polarizare unipolară, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Tehnologia SuperMesh™ garantează o funcționare eficientă și fiabilă, iar subtipul canal îmbogățit îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.
Detalii ale produsului
34 Produse

Fisa tehnica

Referință STW11NK90Z
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 200W
Montare THT
Carcasă TO247
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls 36,8A
Polarizare unipolar
Curent drenă 5,8A
Tensiune drenă-sursă 900V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 980mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SuperMesh™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: