Categorii
Tranzistor N-MOSFET 75V 210A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 75V 210A 370W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 75V 210A 370W TO220AB

IRFB3077PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
27,18 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 210A 370W TO220AB, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, este o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile tale electronice. Acest tranzistor are un subtip de ambalaj în tub, montare THT și carcasa TO220AB, oferind o putere disipată de 370W. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 210A îl fac potrivit pentru diverse aplicații. Cu o tensiune drenă-sursă de 75V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 3,3mΩ. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 160nC. Tipul tranzistorului este N-MOSFET, iar tehnologia utilizată este HEXFET®. Cu performanțe remarcabile și fiabilitate excelentă, acest tranzistor este alegerea ideală pentru proiectele tale electronice exigente.
Detalii ale produsului
701 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB3077PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 370W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 210A
Tensiune drenă-sursă 75V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 160nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: