Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă performanță, perfect pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Cu o putere disipată impresionantă de 366W și o curent drenă de 404A, acest tranzistor este proiectat pentru a face față sarcinilor exigente. Carcasa TO247AC oferă o montare facilă și protecție împotriva supratensiunilor.
Denumit comercial StrongIRFET, acest tranzistor are o rezistență în timpul funcționării de doar 1,3mΩ, ceea ce asigură o eficiență optimă a circuitului. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu o încărcătură de poartă de 300nC, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă a curentului.
Cu o tensiune drenă-sursă de 40V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este fiabil și sigur în utilizare. Tehnologia HEXFET® asigură performanțe superioare și durabilitate pe termen lung. Cu un subtip de ambalaj în tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în designul dvs. electronic. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES pentru calitate și fiabilitate de încredere.