Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 250V 36.3A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 250V 36.3A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 250V 36.3A 125W TO220AB

SUP10250E-GE3
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36,3A; 125W; TO220AB
24,03 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar cu o tensiune de 250V și o curent de 36,3A este un produs de înaltă performanță marca VISHAY. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și poate fi montat prin metoda THT. Carcasa TO220AB oferă o putere disipată de 125W, făcându-l potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face ușor de integrat în diferite circuite.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 32,5mΩ, acest tranzistor asigură o conducere eficientă a curentului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 88nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Tensiunea drenă-sursă este de 250V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V, oferind flexibilitate în designul circuitului.

Tranzistorul N-MOSFET de la VISHAY este un component de încredere, potrivit pentru aplicații care necesită o performanță ridicată și o disipare eficientă a căldurii. Cu toate aceste caracteristici de top, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele electronice complexe.
Detalii ale produsului
423 Produse

Fisa tehnica

Referință SUP10250E-GE3
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 125W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 36,3A
Tensiune drenă-sursă 250V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 32,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 88nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (165.78KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: