Tranzistorul DIOTEC SEMICONDUCTOR N-MOSFET unipolar 65V 60A Idm: 340A 240W TO247-3 este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice care necesită o putere mare și o fiabilitate excelentă. Acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe superioare într-o varietate de scenarii de utilizare.
Subtipul ambalajului este disponibil atât în rolă, cât și în bandă, facilitând integrarea în diferite tipuri de circuite. Montarea pe placa de circuit se face cu tehnologia THT, asigurând o conexiune solidă și fără probleme. Carcasa TO247-3 oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi și asigură o disipare eficientă a căldurii.
Cu o putere disipată de 240W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini de lucru intensiv și își menține stabilitatea în condiții de utilizare solicitante. Curentul de drenă în impuls de 340A permite manipularea rapidă a semnalelor, fără a compromite performanța dispozitivului.
Polarizarea unipolară face acest tranzistor potrivit pentru aplicații de comutare și control, oferind o funcționare fiabilă și consistentă. Cu un curent de drenă de 60A și o tensiune drenă-sursă de 65V, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de putere medie și mare.
Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 9,1mΩ contribuie la eficiența și stabilitatea circuitelor în care este utilizat acest tranzistor. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 80nC, asigurând o funcționare optimă într-o varietate de aplicații.
Acest tranzistor N-MOSFET este un element esențial în proiectarea și construcția circuitelor electronice moderne, oferind performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Alegeți calitatea și eficiența cu tranzistorul DIOTEC SEMICONDUCTOR N-MOSFET unipolar 65V 60A Idm: 340A 240W TO247-3!
Detalii ale produsului
24 Produse
Fisa tehnica
Referință
DIW085N06-DIO
Producător
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
240W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
340A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
60A
Tensiune drenă-sursă
65V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
9,1mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
80nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.