Categorii
Etichete
N-MOSFET Tranzistor 650V 12A 180W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 650V 12A 180W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 650V 12A 180W TO220AB

IXFP12N65X2
Tranzistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
38,76 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET X2-Class unipolar 650V 12A 180W TO220AB este un dispozitiv de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice complexe. Proiectat de producătorul de top IXYS, acest tranzistor se remarcă prin puterea sa de disipare de 180W și polarizarea unipolară, oferind o eficiență maximă în funcționare.

Cu o tensiune drenă-sursă de 650V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse condiții de utilizare. Rezistența sa în timpul funcționării este de doar 0,31Ω, ceea ce contribuie la minimizarea pierderilor de putere și la optimizarea performanței sistemului.

Datorită subtipului canal îmbogățit și încărcăturii poartă de 18,5nC, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă, având un timp de restabilire de doar 155ns. Tehnologia avansată HiPerFET™ și X2-Class garantează o durabilitate și o fiabilitate deosebită, facând din acest tranzistor alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice exigente.
Detalii ale produsului
238 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFP12N65X2
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 180W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 12A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,31Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 18,5nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 155ns
Tehnologie HiPerFET™
X2-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (278.89KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: