Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv de putere cu o gamă impresionantă de caracteristici. Acesta este ambalat într-un tub TO247AC și poate fi montat pe placa de bază folosind tehnologia THT. Cu o putere disipată de 360W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o varietate de circuite.
Cu un curent de drenaj de 57A și o tensiune drenaj-sursă de 250V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative. Tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă în diverse condiții. Rezistența redusă în timpul funcționării de 33mΩ îl face eficient din punct de vedere energetic și potrivit pentru aplicații de mare viteză.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 99nC optimizează performanța dispozitivului. Acest tranzistor N-MOSFET HEXFET® este o alegere excelentă pentru aplicații de putere care necesită fiabilitate și eficiență.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRFP4332PBF |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
360W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247AC |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
57A |
Tensiune drenă-sursă |
250V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
33mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
99nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
HEXFET® |
Fisiere asociate
Descarcari