Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 700V și un curent de drenă de 12A, făcându-l potrivit pentru o gamă largă de aplicații de putere. Cu o putere disipată de 180W și un curent de drenă în impuls de 24A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari în mod eficient.
Carcasa TO220AB asigură o montare ușoară pe plăci de circuit imprimate, iar subtipul de ambalaj în tub oferă protecție suplimentară împotriva deteriorării mecanice. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face ideal pentru aplicații unipolare, iar tensiunea poartă-sursă de ±30V îl face potrivit pentru aplicații cu niveluri de semnal variabile.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,3Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră. Încărcătura poartă de 19nC și tipul N-MOSFET completează specificațiile impresionante ale acestui tranzistor. Alegeți tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS pentru fiabilitate și performanțe superioare în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
14 Produse
Fisa tehnica
Referință
IXTP12N70X2
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
180W
Montare
THT
Carcasă
TO220AB
Curent de drenă în impuls
24A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
12A
Tensiune drenă-sursă
700V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,3Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
19nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.