Categorii
N-MOSFET Tranzistor 40V 327A 341W TO247AC | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 40V 327A 341W TO247AC | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 40V 327A 341W TO247AC

IRLP3034PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
43,27 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 327A 341W TO247AC de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor electronice moderne. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO247AC și poate fi montat pe plăci de circuit imprimate prin tehnica THT. Cu o putere disipată de 341W, acesta este potrivit pentru aplicații de putere mare.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o polarizare unipolară, un curent de drenă de 327A și o tensiune drenă-sursă de 40V. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar rezistența în timpul funcționării este de 1,7mΩ. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 108nC, acest tranzistor este ideal pentru aplicațiile care necesită comutare rapidă și eficientă.

Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES este construit folosind tehnologia HEXFET®, care asigură performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Fiind un tranzistor logic level, acesta poate fi utilizat într-o varietate de aplicații, de la surse de alimentare commutate la controlere de motoare.

Cu specificațiile sale de top și tehnologia de încredere, tranzistorul N-MOSFET unipolar 40V 327A 341W TO247AC de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită performanțe superioare și eficiență energetică.
Detalii ale produsului
15 Produse

Fisa tehnica

Referință IRLP3034PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 341W
Montare THT
Carcasă TO247AC
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Polarizare unipolar
Curent drenă 327A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,7mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 108nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: