Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 800V 9A 170W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 9A 170W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 9A 170W

STP17N80K5
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
43,17 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ K5 unipolar de la STMicroelectronics este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici tehnice impresionante. Acest tranzistor are o putere disipată de 170W, un curent de drenă în impuls de 56A și un curent drenă de 9A. Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații.

Carcasa TO220-3 oferă o montare simplă și sigură, iar subtipul de ambalaj în tub asigură protecție împotriva factorilor externi. Polarizarea unipolară și subtipul de canal îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiectele tale electronice.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,34Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Încărcătura poartă de 26nC și tehnologia MDmesh™ K5 completează pachetul de caracteristici impresionante ale acestui tranzistor N-MOSFET de la STMicroelectronics.
Detalii ale produsului
35 Produse

Fisa tehnica

Referință STP17N80K5
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 170W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Curent de drenă în impuls 56A
Polarizare unipolar
Curent drenă 9A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,34Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 26nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™ K5
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: