Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 16A 74W de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe excelente în aplicații electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub durabil și este montat utilizând tehnologia THT pentru o instalare ușoară. Carcasa TO247-3 oferă o protecție suplimentară și o disipare eficientă a căldurii, permițând o putere maximă de 74W.
Cu o tensiune de drenaj-sursă de 1,2kV și un curent de drenaj de 8A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 16A în impulsuri. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de -5...15V fac acest tranzistor ideal pentru aplicații de comutare și amplificare. Rezistența redusă în timpul funcționării de 0,35Ω asigură o eficiență optimă a dispozitivului.
Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 12nC, acest tranzistor N-MOSFET este perfect pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și precisă. Tehnologia inovatoare SiC și G3R™ oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Cu Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 16A 74W de la GeneSiC SEMICONDUCTOR, veți obține rezultate remarcabile în proiectele dvs. electronice.